您现在的位置:主页 > 工程案例 >

解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法

时期:2021-11-04 16:58 点击数:
本文摘要:7奈米制程节点将是半导体厂前进摩尔定律(Moorersquo;sLaw)的下一最重要关卡。半导体转入7奈米节点后,前段与后段制程均将面对更加不利的挑战,半导体厂已集中力量研发新的元件设计构架,以及金属导线等材料,期顾及尺寸、功耗及运算性能展现出。 台积电预告片2017年第二季10奈米芯片将不会量产,7奈米制程的量产时间点则将落在2018年上半。反观英特尔(Intel),其10奈米制程量产时间确认将延后到2017下半年。

亚搏体育app官网入口

7奈米制程节点将是半导体厂前进摩尔定律(Moorersquo;sLaw)的下一最重要关卡。半导体转入7奈米节点后,前段与后段制程均将面对更加不利的挑战,半导体厂已集中力量研发新的元件设计构架,以及金属导线等材料,期顾及尺寸、功耗及运算性能展现出。  台积电预告片2017年第二季10奈米芯片将不会量产,7奈米制程的量产时间点则将落在2018年上半。反观英特尔(Intel),其10奈米制程量产时间确认将延后到2017下半年。

但英特尔高层特别强调,7奈米制程才是终极关键,因为7奈米的制程技术与材料将不会有根本性转变。  较为双方未来的制程蓝图时间表,台积电完全证实将于10奈米制程节点时打破英特尔。但英特尔财务长StacySmith在2016年MorganStanley技术会议上特别强调,7奈米制程才是彼此终极的关键点,并特别强调7奈米的制程技术与材料与过去比起,将不会有重大突破。

亚搏手机在线登录入口

  过去,在90奈米制程研发时,就有不少声音爆出半导体制程发展将触碰到物理无限大,无法之后发展下去,如今也已成功地跑到10奈米,更加甚至到7或是5奈米制程节点,以过去的我们而言的确是难以想像。  英特尔在技术会议上的这一番谈话,引发我们对未来科技无限想象的空间,究竟英特尔将不会引入什么样的革新技术?以及未来在制程发展上可能会遭遇到什么样的挑战?本文将会试着从半导体制程的前段(元件部分)、后段(金属导线)以及市场规模等因素来探究先进设备制程未来有可能面对的挑战,以及对应的解决办法。

  闸极设计南北仅有外壳结构  半导体前段制程的挑战,不外乎是大大微缩闸极线宽,在相同的单位面积之下减少晶体管数目。不过,随着闸极线宽增大,水解层厚度回来削减,造成绝缘效果减少,使得溢电流沦为令其业界后遗症深感的副作用。半导体制造业者在28奈米制程节点引入的高介电常数金属闸极(High-kMetalGate,HKMG),即是利用低介电常数材料来减少电容值,以超过减少溢电流的目的。

其关系函式如下:    根据这样的理论,减少绝缘层的表面积亦是一种提高溢电流现象的方法。鳍式场效晶体管(FinFieldEffectTransistor,FinFET)即是藉由减少绝缘层的表面积来减少电容值,减少溢电流以超过降低功耗的目的,如图1右图。    图1传统平面式(左)与鳍式场效晶体管(右)图片来源:IDF,IntelDevelopmentForum(2011)  图2为未来晶体管科技发展蓝图与挑战。

鳍式场效晶体管为三面掌控,在5或是3奈米制程中,为了再行减少绝缘层面积,全包复式闸极(GateAllAround,GAA)将亦是发展的选项之一。


本文关键词:解析,先进,半导体,亚搏手机版app下载,制程,未来,可能,面临,的

本文来源:亚搏手机版app下载-www.whxjjyw.com



Copyright © 2009-2021 www.whxjjyw.com. 亚搏手机版app下载科技 版权所有 备案号:ICP备52690705号-8